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专利摘要

本发明公开了一种压电发射电容感知高性能MUT单元及其制备方法,将PMUT单元的超声发射工作模式与CMUT单元的超声接收工作模式相互结合。
该MUT单元由压电驱动环形薄膜与叠加于环形薄膜上表面的圆形电容感知薄膜组成。
在超声发射工作模式,环形薄膜基于逆压电效应进行驱动,同时带动叠加在其上的圆形薄膜产生活塞式振动,从而提高超声发射指向性以及超声输出。
在超声接收工作模式,环形薄膜与圆形薄膜同时受到入射超声作用产生挠度。
由于圆形薄膜与环形薄膜挠度的叠加,增大了电容上极板与电容下极板之间的行程变化量,从而提高单元超声接收灵敏度;同时,这也使得单元在超声接收模式下能采用更低的偏置电压工作在塌陷模式,进一步增加单元的超声接收灵敏度。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910702669.8
申请日
2019-07-31
公开日
2020-08-18
公开号
CN110523607B
主分类号
/B/B06/ 作业;运输
标准类别
一般机械振动的发生或传递
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

赵立波 郭帅帅 徐廷中 李支康 杨萍 李杰 赵一鹤 刘子晨 蒋庄德

申请人

西安交通大学

申请人地址

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

专利摘要

本发明公开了一种压电发射电容感知高性能MUT单元及其制备方法,将PMUT单元的超声发射工作模式与CMUT单元的超声接收工作模式相互结合。
该MUT单元由压电驱动环形薄膜与叠加于环形薄膜上表面的圆形电容感知薄膜组成。
在超声发射工作模式,环形薄膜基于逆压电效应进行驱动,同时带动叠加在其上的圆形薄膜产生活塞式振动,从而提高超声发射指向性以及超声输出。
在超声接收工作模式,环形薄膜与圆形薄膜同时受到入射超声作用产生挠度。
由于圆形薄膜与环形薄膜挠度的叠加,增大了电容上极板与电容下极板之间的行程变化量,从而提高单元超声接收灵敏度;同时,这也使得单元在超声接收模式下能采用更低的偏置电压工作在塌陷模式,进一步增加单元的超声接收灵敏度。

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