CMUT单元(10)的阵列具有耦合到单元的顶部电极的DC偏置电压(VB)，以将所述电极偏置到期望的塌陷或部分塌陷状态。
熔断器(200)与单元的底部电极(22)串联连接，其在个体单元的故障的情况下会将个体单元与阵列的其他仍然工作的单元断开并且隔离。
在优选实施例中，单元被耦合以控制诸如微波束形成器电路的集成电路，并且熔断器由具有集成电路的半导体材料形成，从而使MUT表面区可用于高密度MUT制造。
防止了由于DC偏置电流通过出故障的单元的短路的对集成电路的损坏。

B·J·萨沃德 R·E·戴维森

皇家飞利浦有限公司

荷兰艾恩德霍芬

CMUT单元(10)的阵列具有耦合到单元的顶部电极的DC偏置电压(VB)，以将所述电极偏置到期望的塌陷或部分塌陷状态。
熔断器(200)与单元的底部电极(22)串联连接，其在个体单元的故障的情况下会将个体单元与阵列的其他仍然工作的单元断开并且隔离。
在优选实施例中，单元被耦合以控制诸如微波束形成器电路的集成电路，并且熔断器由具有集成电路的半导体材料形成，从而使MUT表面区可用于高密度MUT制造。
防止了由于DC偏置电流通过出故障的单元的短路的对集成电路的损坏。