描述了形成在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的微加工超声换能器，以及制造这种装置的方法。
可以通过牺牲释放来去除CMOS晶片的金属化层，以产生超声换能器的腔。
剩余层可以形成超声换能器的膜。

乔纳森·M·罗思伯格 基思·G·菲费 内华达·J·桑切斯 苏珊·A·阿列

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美国康涅狄格州

描述了形成在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的微加工超声换能器，以及制造这种装置的方法。
可以通过牺牲释放来去除CMOS晶片的金属化层，以产生超声换能器的腔。
剩余层可以形成超声换能器的膜。