本发明涉及一种整体集成的用于操控超声换能器(TR)的H桥，该H桥具有蓄能电容(CDRV)、参考电位线(GNDP)和供电电压线(VRDV)。
该蓄能电容(CDRV)具有第一连接端(C+)和第二连接端(C－)。
H桥在衬底(E－Epi)中整体地制成。
超声换能器(TR)具有第一连接端(DRV1)和第二连接端。
该H桥与蓄能电容(CDRV)的第二连接端(C+)连接而且与蓄能电容(CDRV)的第二连接端(C－)连接。
第五开关(SW5)可以使超声换能器(TR)的第一连接端(DRV1)与供电电压线(VRDV)连接。
H桥的其它半桥(SW3、SW4)与参考电压线(GNDP)和超声换能器(TR)的第一连接端(DRV1)连接。

安德烈·施密特 托马斯·罗特 斯蒂芬·赫佩卡森

艾蒙半导体公司

德国多特蒙德市

本发明涉及一种整体集成的用于操控超声换能器(TR)的H桥，该H桥具有蓄能电容(CDRV)、参考电位线(GNDP)和供电电压线(VRDV)。
该蓄能电容(CDRV)具有第一连接端(C+)和第二连接端(C－)。
H桥在衬底(E－Epi)中整体地制成。
超声换能器(TR)具有第一连接端(DRV1)和第二连接端。
该H桥与蓄能电容(CDRV)的第二连接端(C+)连接而且与蓄能电容(CDRV)的第二连接端(C－)连接。
第五开关(SW5)可以使超声换能器(TR)的第一连接端(DRV1)与供电电压线(VRDV)连接。
H桥的其它半桥(SW3、SW4)与参考电压线(GNDP)和超声换能器(TR)的第一连接端(DRV1)连接。