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专利摘要

本发明公开了一种超薄柔性硅基电容式微机械超声波换能器,包括具有至少一个敏感单元的至少一个CMUT阵元,所述至少一个CMUT阵元设置于柔性衬底电路,所述敏感单元由第一SOI片和第二SOI片键合而成,所述第一SOI片的器件层作为振动薄膜,所述第二SOI片的器件层作为衬底,在第一SOI片的衬底层和埋氧层去除后,将其临时键合到氧化硅片上,再去除第二SOI片的衬底层和埋氧层,然后将第二SOI片固定在柔性衬底电路上,最后去除氧化硅片。
该加工方法适于大批量生产,加工精度高,效率高,成本低,可以加工出工作频率MHz以上,性能一致性高的硅基超薄柔性二维CMUT阵列。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010748893.3
申请日
2020-07-30
公开日
2020-11-06
公开号
CN111889341A
主分类号
/B/B06/ 作业;运输
标准类别
一般机械振动的发生或传递
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

宋金龙 郑欣怡 陈博 凤瑞 商兴莲 周铭

申请人

中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

申请人地址

215000 江苏省苏州市高新区龙山路89号

专利摘要

本发明公开了一种超薄柔性硅基电容式微机械超声波换能器,包括具有至少一个敏感单元的至少一个CMUT阵元,所述至少一个CMUT阵元设置于柔性衬底电路,所述敏感单元由第一SOI片和第二SOI片键合而成,所述第一SOI片的器件层作为振动薄膜,所述第二SOI片的器件层作为衬底,在第一SOI片的衬底层和埋氧层去除后,将其临时键合到氧化硅片上,再去除第二SOI片的衬底层和埋氧层,然后将第二SOI片固定在柔性衬底电路上,最后去除氧化硅片。
该加工方法适于大批量生产,加工精度高,效率高,成本低,可以加工出工作频率MHz以上,性能一致性高的硅基超薄柔性二维CMUT阵列。

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