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专利摘要

本发明公开了一种可调谐的超声传感器阵列,包括超声发射单元和超声接收单元,超声发射单元为具有亥姆霍兹谐振腔的压电微制造超声换能器;超声接收单元为带质量负载的压电微制造超声换能器,超声发射单元利用压电叠层激励亥姆霍兹谐振腔辐射声波;通过调节质量负载可以对超声换能器进行调谐,从而使得接收单元的谐振频率和发射单元亥姆霍兹谐振腔的谐振频率一致;超声发射单元和超声接收单元于同一片晶片上加工,其压电叠层厚度一致。
本发明的超声发射单元采用亥姆霍兹谐振腔可以对声波起到放大作用,超声接收单元采用的质量负载压电微制造超声换能器能对超声换能器进行调谐并提高接收灵敏度,两者结合的阵列能提高发射和接收声波的能量转换效率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201911308045.4
申请日
2019-12-18
公开日
2021-01-26
公开号
CN111001553B
主分类号
/B/B06/ 作业;运输
标准类别
一般机械振动的发生或传递
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

孙成亮 朱伟 吴志鹏 王磊

申请人

武汉大学

申请人地址

430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

专利摘要

本发明公开了一种可调谐的超声传感器阵列,包括超声发射单元和超声接收单元,超声发射单元为具有亥姆霍兹谐振腔的压电微制造超声换能器;超声接收单元为带质量负载的压电微制造超声换能器,超声发射单元利用压电叠层激励亥姆霍兹谐振腔辐射声波;通过调节质量负载可以对超声换能器进行调谐,从而使得接收单元的谐振频率和发射单元亥姆霍兹谐振腔的谐振频率一致;超声发射单元和超声接收单元于同一片晶片上加工,其压电叠层厚度一致。
本发明的超声发射单元采用亥姆霍兹谐振腔可以对声波起到放大作用,超声接收单元采用的质量负载压电微制造超声换能器能对超声换能器进行调谐并提高接收灵敏度,两者结合的阵列能提高发射和接收声波的能量转换效率。

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