本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：在R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区域涂布粘合剂的涂布工序；使由作为Dy和Tb中的至少一种的Pr－Ga合金的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区域的附着工序；和以R－T－B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度进行热处理而使粒度调整粉末所含的Pr－Ga合金从R－T－B系烧结磁体原材料的表面向内部扩散的扩散工序。
设定粒度调整粉末的粒度，使得将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R－T－B系烧结磁体原材料的全部表面而形成1层以上3层以下的颗粒层时，粒度调整粉末所含的Ga量相对于上述R－T－B系烧结磁体原材料以质量比计为0.10～1.0％的范围内。

国吉太 三野修嗣

日立金属株式会社

日本东京都

本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：在R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区域涂布粘合剂的涂布工序；使由作为Dy和Tb中的至少一种的Pr－Ga合金的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区域的附着工序；和以R－T－B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度进行热处理而使粒度调整粉末所含的Pr－Ga合金从R－T－B系烧结磁体原材料的表面向内部扩散的扩散工序。
设定粒度调整粉末的粒度，使得将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R－T－B系烧结磁体原材料的全部表面而形成1层以上3层以下的颗粒层时，粒度调整粉末所含的Ga量相对于上述R－T－B系烧结磁体原材料以质量比计为0.10～1.0％的范围内。