实施方案涉及一种用于半导体的化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)工艺的多孔性聚氨酯抛光垫及其制造方法，所述多孔性聚氨酯抛光垫使用作为固相发泡剂的热膨胀微胶囊及作为气相发泡剂的惰性气体来调节气孔的大小及分布，从而可以调节抛光性能(抛光率)。

徐章源 韩赫熙 许惠映 柳俊城 权荣弼

SKC索密思株式会社

韩国京畿道平泽市京畿大道1043号

实施方案涉及一种用于半导体的化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)工艺的多孔性聚氨酯抛光垫及其制造方法，所述多孔性聚氨酯抛光垫使用作为固相发泡剂的热膨胀微胶囊及作为气相发泡剂的惰性气体来调节气孔的大小及分布，从而可以调节抛光性能(抛光率)。