本发明公开了一种场敏感型非线性导电薄膜制备方法、所制得的薄膜及应用，涉及导电薄膜材料领域。
包括如下步骤：取聚乙烯醇和去离子水，常温搅拌，加热至85‑95℃，继续搅拌至聚乙烯醇完全溶解得溶液E；取银纳米线加入到溶液E，温度60‑70℃，搅拌10‑15小时得到复合材料流体，进行流延成膜，待溶剂挥发后即得到场敏感型非线性导电薄膜；其中，聚乙烯醇聚合度为1700，醇解度为99%；银纳米线长度为10‑14μm，直径为80‑120nm，长径比L/r为80‑350；场敏感型非线性导电薄膜中AgNWs填充体积分数为1.05‑2.44%。
本方法工艺简单，成本低，反应时间短，易于大量制备；制得的薄膜分布均匀，分散性较好，无团聚，具有十分显著的非线性导电特性，可应用于过电压防护、雷电浪涌和静电放电的自适应防护领域。

曲兆明 卢聘 王庆国 赵世阳

中国人民解放军陆军工程大学

050000 河北省石家庄市新华区和平西路97号

本发明公开了一种场敏感型非线性导电薄膜制备方法、所制得的薄膜及应用，涉及导电薄膜材料领域。
包括如下步骤：取聚乙烯醇和去离子水，常温搅拌，加热至85‑95℃，继续搅拌至聚乙烯醇完全溶解得溶液E；取银纳米线加入到溶液E，温度60‑70℃，搅拌10‑15小时得到复合材料流体，进行流延成膜，待溶剂挥发后即得到场敏感型非线性导电薄膜；其中，聚乙烯醇聚合度为1700，醇解度为99%；银纳米线长度为10‑14μm，直径为80‑120nm，长径比L/r为80‑350；场敏感型非线性导电薄膜中AgNWs填充体积分数为1.05‑2.44%。
本方法工艺简单，成本低，反应时间短，易于大量制备；制得的薄膜分布均匀，分散性较好，无团聚，具有十分显著的非线性导电特性，可应用于过电压防护、雷电浪涌和静电放电的自适应防护领域。