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专利摘要

本发明公开了一种硅橡胶抗电磁干扰绝缘布,自下而上包括电磁屏蔽层和硅橡胶层,所述电磁屏蔽层为电磁屏蔽布,所述硅橡胶层包括以下重量份数的组分:聚甲基乙烯基硅氧烷70~120份,氢氧化铝粉25~45份,气相二氧化硅5~25份,聚甲基氢硅氧烷1~5份,多乙烯基聚硅氧烷1~5份,改性剂八甲基环四硅氧烷1~20份,硅烷偶联剂KH550 1~10份、硅烷偶联剂KH560 1~10份,双封头Pt催化剂0.01份;一种上述绝缘布的制备方法,依次进行以下操作:粉体改性、捏合、三辊研磨和行星搅拌。
本发明利用硅橡胶的绝缘、耐老化性能,将其附着于电磁屏蔽布表面,在厚度为1mm的条件下,其击穿电压为24kv,且根据电磁屏蔽波段的不同可灵活调整电磁屏蔽布的种类,其屏蔽效能可达到70db以上。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910597292.4
申请日
2019-07-04
公开日
2021-07-16
公开号
CN110406211B
主分类号
/B/B29/ 作业;运输
标准类别
塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

郑永立 赵悦菊 滕济林 徐善军 王建辉 李帅 卢路 赵春风 杜婧

申请人

北京国电富通科技发展有限责任公司 国网电力科学研究院有限公司

申请人地址

100071 北京市丰台区南四环西路188号六区14号楼

专利摘要

本发明公开了一种硅橡胶抗电磁干扰绝缘布,自下而上包括电磁屏蔽层和硅橡胶层,所述电磁屏蔽层为电磁屏蔽布,所述硅橡胶层包括以下重量份数的组分:聚甲基乙烯基硅氧烷70~120份,氢氧化铝粉25~45份,气相二氧化硅5~25份,聚甲基氢硅氧烷1~5份,多乙烯基聚硅氧烷1~5份,改性剂八甲基环四硅氧烷1~20份,硅烷偶联剂KH550 1~10份、硅烷偶联剂KH560 1~10份,双封头Pt催化剂0.01份;一种上述绝缘布的制备方法,依次进行以下操作:粉体改性、捏合、三辊研磨和行星搅拌。
本发明利用硅橡胶的绝缘、耐老化性能,将其附着于电磁屏蔽布表面,在厚度为1mm的条件下,其击穿电压为24kv,且根据电磁屏蔽波段的不同可灵活调整电磁屏蔽布的种类,其屏蔽效能可达到70db以上。

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