本发明公开了一种SiC陶瓷结构件及其制备方法。
该方法将SiC粉末、C粉和粘结剂粉末混合后通过SLS制备出陶瓷坯体，首先选择合适的颗粒级配混合均匀粉末后打印成型，通过冷等静压技术处理陶瓷坯体，使得陶瓷坯体中的粉末颗粒排列更为紧密，提高陶瓷坯体的致密度；再通过渗硅反应烧结，使得单质硅与单质碳颗粒在烧结过程中形成SiC，减少了试件中单质硅的存在，反应生成的SiC使得试件的致密度进一步提高，降低了试件的孔隙率，提升试件的力学性能；该方法首次在3D打印SiC陶瓷时，将C粉作为原料之一并调整C粉和SiC粉的颗粒级配，为后续的冷等静压和反应烧结做准备。
通过本发明的方法制得的结构件密度为3.01～3.11g/cm3，弯曲强度为290～330MPa。

满积友 鲍崇高 宋索成 赵纪元

西安增材制造国家研究院有限公司

710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1606室

本发明公开了一种SiC陶瓷结构件及其制备方法。
该方法将SiC粉末、C粉和粘结剂粉末混合后通过SLS制备出陶瓷坯体，首先选择合适的颗粒级配混合均匀粉末后打印成型，通过冷等静压技术处理陶瓷坯体，使得陶瓷坯体中的粉末颗粒排列更为紧密，提高陶瓷坯体的致密度；再通过渗硅反应烧结，使得单质硅与单质碳颗粒在烧结过程中形成SiC，减少了试件中单质硅的存在，反应生成的SiC使得试件的致密度进一步提高，降低了试件的孔隙率，提升试件的力学性能；该方法首次在3D打印SiC陶瓷时，将C粉作为原料之一并调整C粉和SiC粉的颗粒级配，为后续的冷等静压和反应烧结做准备。
通过本发明的方法制得的结构件密度为3.01～3.11g/cm3，弯曲强度为290～330MPa。