本发明公开一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法，方法包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将压制后的印章基架的支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。
本发明利用复合基架式的印章，能有效调控印章粘附力，提高了薄膜的转印效率，减少了对工艺条件的需求。

张滔 向超宇 李乐 辛征航 张东华 邓天旸

TCL科技集团股份有限公司

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本发明公开一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法，方法包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将压制后的印章基架的支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。
本发明利用复合基架式的印章，能有效调控印章粘附力，提高了薄膜的转印效率，减少了对工艺条件的需求。