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专利摘要

一种抗氧化黑磷纳米片的制备方法,属于二维层状材料领域。
包括以下步骤:将黑磷纳米片加入有机溶剂中,制备黑磷纳米片的有机溶剂分散液,同时配制烷基胺的卤代烷烃修饰溶液作为表面修饰剂;混合黑磷纳米片分散液与表面修饰剂得到混合物;将混合物置于惰性气氛加热的密封体系中回流反应;混合液冷却后经液固分离,洗涤,干燥,即得所述抗氧化黑磷纳米片。
采用二烷烃基甲胺通过P‑C‑N键接枝在黑磷纳米片表面,其中P与亚甲基直接相连,二烷基胺暴露在外侧,烷基胺氧化动力学缓慢,能够有效防止黑磷纳米片的氧化。
同时,二烷烃基甲胺相比现有的芳香叠氮化学物价格低廉,环境友好。
适用于场效应晶体管、光电探测器等领域。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010305400.9
申请日
2020-04-17
公开日
2020-08-04
公开号
CN111483988A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

翁建 陈园园 彭健

申请人

厦门大学

申请人地址

361005 福建省厦门市思明区思明南路422号

专利摘要

一种抗氧化黑磷纳米片的制备方法,属于二维层状材料领域。
包括以下步骤:将黑磷纳米片加入有机溶剂中,制备黑磷纳米片的有机溶剂分散液,同时配制烷基胺的卤代烷烃修饰溶液作为表面修饰剂;混合黑磷纳米片分散液与表面修饰剂得到混合物;将混合物置于惰性气氛加热的密封体系中回流反应;混合液冷却后经液固分离,洗涤,干燥,即得所述抗氧化黑磷纳米片。
采用二烷烃基甲胺通过P‑C‑N键接枝在黑磷纳米片表面,其中P与亚甲基直接相连,二烷基胺暴露在外侧,烷基胺氧化动力学缓慢,能够有效防止黑磷纳米片的氧化。
同时,二烷烃基甲胺相比现有的芳香叠氮化学物价格低廉,环境友好。
适用于场效应晶体管、光电探测器等领域。

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