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专利摘要

本发明涉及一种卤化硅烷齐聚物的提纯方法,其中的卤化硅烷齐聚物可以是纯的化合物,也可以是一系列化合物的混合物,这些化合物中的每一种至少带有一个直接键合的Si‑Si,这些硅烷齐聚物的取代基只能是卤素,或者卤素和氢原子,在具有不同原子组成成分的取代基中,硅原子与其他原子的原子比必须大于3:2,在提纯的过程中,至少针对卤化硅烷齐聚物并通过分离卤化硅烷齐聚物实现提高卤化硅烷齐聚物的纯度。
根据现有技术,诸如HSiCl

专利状态

基础信息

专利号
CN201580056048.7
申请日
2015-09-07
公开日
2017-08-18
公开号
CN107074558A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

C·鲍赫 S·霍尔 M·霍伊尔

申请人

PSC聚硅烷化工股份有限公司

申请人地址

德国比特尔费尔德-沃尔芬

专利摘要

本发明涉及一种卤化硅烷齐聚物的提纯方法,其中的卤化硅烷齐聚物可以是纯的化合物,也可以是一系列化合物的混合物,这些化合物中的每一种至少带有一个直接键合的Si‑Si,这些硅烷齐聚物的取代基只能是卤素,或者卤素和氢原子,在具有不同原子组成成分的取代基中,硅原子与其他原子的原子比必须大于3:2,在提纯的过程中,至少针对卤化硅烷齐聚物并通过分离卤化硅烷齐聚物实现提高卤化硅烷齐聚物的纯度。
根据现有技术,诸如HSiCl

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