本发明公开了一种二维氢化硼纳米片的方法，包括以下步骤：将硼源置于真空反应炉中，在还原性气氛中，通过严格的两步或三步分段升温程序，在无金属基底条件下，于石英舟中获得高产量、超稳定的二维氢化硼纳米片。
本发明采用分步升温方式，在无金属基底或其他外延基底情况下，通过两步或三步分段加热法可控分解固体硼源方式以获得氢化硼纳米片，从而提供了一种制备高产量、超稳定二维氢化硼纳米片的方法。
本方法得到的二维氢化硼纳米片可应用于多个技术领域，包括太阳能电池、能量存储和转换器件、晶体管器件、传感器和忆阻器。

台国安 侯闯

南京航空航天大学

210007 江苏省南京市秦淮区御道街29号

本发明公开了一种二维氢化硼纳米片的方法，包括以下步骤：将硼源置于真空反应炉中，在还原性气氛中，通过严格的两步或三步分段升温程序，在无金属基底条件下，于石英舟中获得高产量、超稳定的二维氢化硼纳米片。
本发明采用分步升温方式，在无金属基底或其他外延基底情况下，通过两步或三步分段加热法可控分解固体硼源方式以获得氢化硼纳米片，从而提供了一种制备高产量、超稳定二维氢化硼纳米片的方法。
本方法得到的二维氢化硼纳米片可应用于多个技术领域，包括太阳能电池、能量存储和转换器件、晶体管器件、传感器和忆阻器。