提供一种具有3～4eV带隙的钡锗氧化物、其制备方法、烧结体及靶。
本发明的钡锗氧化物至少含有Ba(钡)、Ge(锗)和O(氧)，包含由通式ABO

游佐齐 宫川仁

国立研究开发法人物质·材料研究机构

日本茨城县

提供一种具有3～4eV带隙的钡锗氧化物、其制备方法、烧结体及靶。
本发明的钡锗氧化物至少含有Ba(钡)、Ge(锗)和O(氧)，包含由通式ABO