本发明公开了一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，将硫酸钠和过渡金属氧化物混合后置于气相沉积炉中，在含氢气的气氛下，于温度至少为700℃条件下反应，在基底表面沉积生长得到过渡金属硫化物。
本发明以高熔点硫酸钠为硫源，过渡金属氧化物为金属源，通过控制硫源和金属源同时释放，保证了生长阶段硫源的充足供应和可控扩散，得到缺陷少、结晶度高的二维过渡金属硫化物。

刘松 靳媛媛

湖南大学

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门

本发明公开了一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，将硫酸钠和过渡金属氧化物混合后置于气相沉积炉中，在含氢气的气氛下，于温度至少为700℃条件下反应，在基底表面沉积生长得到过渡金属硫化物。
本发明以高熔点硫酸钠为硫源，过渡金属氧化物为金属源，通过控制硫源和金属源同时释放，保证了生长阶段硫源的充足供应和可控扩散，得到缺陷少、结晶度高的二维过渡金属硫化物。