本发明涉及半导体纳米晶体颗粒、多个半导体纳米晶体颗粒的群、其制造方法、和电子设备,所述半导体纳米晶体颗粒包括由化学式1表示的过渡金属硫属化物,所述半导体纳米晶体颗粒具有小于或等于约100纳米的尺寸,其中M1为Ca、Sr、Ba或其组合,M2为Ti、Zr、Hf或其组合,和Cha为S、Se、Te或其组合。
化学式1M1M2Cha3。
闵智玄 M.赛达米诺夫 张银珠 章效淑 A.雅因 E.萨金特 O.沃兹尼 L.莱维纳 S.霍格兰德 P.托多罗维克
三星电子株式会社 多伦多大学理事会
韩国京畿道
本发明涉及半导体纳米晶体颗粒、多个半导体纳米晶体颗粒的群、其制造方法、和电子设备,所述半导体纳米晶体颗粒包括由化学式1表示的过渡金属硫属化物,所述半导体纳米晶体颗粒具有小于或等于约100纳米的尺寸,其中M1为Ca、Sr、Ba或其组合,M2为Ti、Zr、Hf或其组合,和Cha为S、Se、Te或其组合。
化学式1M1M2Cha3。