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专利摘要

系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途,涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。
本发明的目的是要找到一种能带具有较大的可“剪裁”性的半导体材料。
选择了VIA族元素Se,VIIA族元素Br和IIB族的Cd和Hg,用固相反应法,合成出新型系列类碲镉汞红外材料化合物CdHg

专利状态

基础信息

专利号
CN200410030570.1
申请日
2004-04-13
公开日
2009-07-01
公开号
CN100508220C
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

陈文通 郭国聪 徐玲 李强 黄锦顺

申请人

中国科学院福建物质结构研究所

申请人地址

350002福建省福州市杨桥西路155号

专利摘要

系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途,涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。
本发明的目的是要找到一种能带具有较大的可“剪裁”性的半导体材料。
选择了VIA族元素Se,VIIA族元素Br和IIB族的Cd和Hg,用固相反应法,合成出新型系列类碲镉汞红外材料化合物CdHg

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