专利摘要
本发明提出一种金属氧化物半导体气敏材料,所述金属氧化物半导体气敏材料是半导体CeO
专利状态
基础信息
- 专利号
- CN201811418977.X
- 申请日
- 2018-11-26
- 公开日
- 2021-07-27
- 公开号
- CN109850936B
- 主分类号
- /C/C01/ 化学;冶金
- 标准类别
- 无机化学
- 批准发布部门
- 国家知识产权局
- 专利状态
- 有效专利
发明人
张晶晶 张艳妮 刘锦华 刘凝 赵鹏 朱小锋 宁占武
申请人
北京市劳动保护科学研究所
申请人地址
100054 北京市西城区陶然亭路55号
专利摘要
本发明提出一种金属氧化物半导体气敏材料,所述金属氧化物半导体气敏材料是半导体CeO
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