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专利摘要

本发明提出一种金属氧化物半导体气敏材料,所述金属氧化物半导体气敏材料是半导体CeO

专利状态

基础信息

专利号
CN201811418977.X
申请日
2018-11-26
公开日
2021-07-27
公开号
CN109850936B
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

张晶晶 张艳妮 刘锦华 刘凝 赵鹏 朱小锋 宁占武

申请人

北京市劳动保护科学研究所

申请人地址

100054 北京市西城区陶然亭路55号

专利摘要

本发明提出一种金属氧化物半导体气敏材料,所述金属氧化物半导体气敏材料是半导体CeO

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