本发明涉及硅基原料提纯以获得高纯度硅的方法。
根据本发明实施以下的步骤：a)将第一非转移电弧焰炬(6)产生的等离子体喷焰喷送到具有出口孔的空间的实心壁(7)上，以使等离子体喷焰在实心壁(7)上的碰撞产生均匀的等离子体流；b)在均匀的等离子体流中连续引入微粒和/或颗粒组成的、或粉碎的待处理硅基原料；c)从出口孔向坩埚(1)连续地引导由已引入粉碎硅基原料的均匀等离子体流形成的整体，坩埚(1)包括将粉碎硅基原料加热到熔融状态并搅拌的部件；d)全部粉碎硅基原料已引入并且熔融浴(13)已在坩埚(1)中形成，将至少一第二非转移电弧焰炬的反应等离子体射流引导到熔融浴的表面上，e)将在熔融浴表面(17)存在的熔渣排出，若可能重复步骤d)和e)以蒸发通过搅拌被带到熔融浴表面(17)的熔融浴的至少某些杂质。

M·拉布罗

西利梅尔特公司

法国佩萨克

本发明涉及硅基原料提纯以获得高纯度硅的方法。
根据本发明实施以下的步骤：a)将第一非转移电弧焰炬(6)产生的等离子体喷焰喷送到具有出口孔的空间的实心壁(7)上，以使等离子体喷焰在实心壁(7)上的碰撞产生均匀的等离子体流；b)在均匀的等离子体流中连续引入微粒和/或颗粒组成的、或粉碎的待处理硅基原料；c)从出口孔向坩埚(1)连续地引导由已引入粉碎硅基原料的均匀等离子体流形成的整体，坩埚(1)包括将粉碎硅基原料加热到熔融状态并搅拌的部件；d)全部粉碎硅基原料已引入并且熔融浴(13)已在坩埚(1)中形成，将至少一第二非转移电弧焰炬的反应等离子体射流引导到熔融浴的表面上，e)将在熔融浴表面(17)存在的熔渣排出，若可能重复步骤d)和e)以蒸发通过搅拌被带到熔融浴表面(17)的熔融浴的至少某些杂质。