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专利摘要

本发明提供一种基于表面等离子体波的二维过渡金属二硫化物层数可控制备及图案化的制备方法,包括以下步骤:采用波长为670nm的激光以全内反射的最大入射角照射在置于水溶液中的样品表面;调控激发表面等离子体波的激光输出功率,得到层数可控的过渡金属二硫化物;所述层数为1层、2层或3层;调控表面等离子体波的传播方向和刻蚀时间,得到图案化的层状过渡金属二硫化物。
以二硫化钼为代表性示例,通过调节激发表面等离子体波的光源的输出功率实现二硫化钼的层数控制。
同时刻蚀过程取决于表面等离子体波的传播方向,从而实现各种二硫化钼同质结构的图案化。
本发明操作简便,对样品污染和损伤极小,处理之后的样品表面完整、洁净。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010494077.4
申请日
2020-06-03
公开日
2020-09-22
公开号
CN111689518A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

刘贤伟 周晓丽

申请人

中国科学技术大学

申请人地址

230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

专利摘要

本发明提供一种基于表面等离子体波的二维过渡金属二硫化物层数可控制备及图案化的制备方法,包括以下步骤:采用波长为670nm的激光以全内反射的最大入射角照射在置于水溶液中的样品表面;调控激发表面等离子体波的激光输出功率,得到层数可控的过渡金属二硫化物;所述层数为1层、2层或3层;调控表面等离子体波的传播方向和刻蚀时间,得到图案化的层状过渡金属二硫化物。
以二硫化钼为代表性示例,通过调节激发表面等离子体波的光源的输出功率实现二硫化钼的层数控制。
同时刻蚀过程取决于表面等离子体波的传播方向,从而实现各种二硫化钼同质结构的图案化。
本发明操作简便,对样品污染和损伤极小,处理之后的样品表面完整、洁净。

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