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专利摘要

本发明涉及控制具有分配器板和核心床的多晶硅流化床反应器的轴向温度梯度的方法,所述方法包括:将具有预定粒度分布的多晶硅晶种加入流化床反应器的核心床中;测量床中颗粒的粒度分布的宽度,其中所述颗粒由新加入晶种和先前加入晶种的混合物组成,所述先前加入晶种已生长和/或尺寸收缩;调整反应器中的晶种添加频率来改变床中颗粒的粒度分布的宽度,使得当颗粒在核心床中约0.4至约1.0的标准化高度时,流化床反应器中的温度为约1000℉至约1300℉;和由可热分解化合物将硅沉积到新加入晶种和先前加入晶种上;和从所述床取出多晶硅产物。

专利状态

基础信息

专利号
CN201711274323.X
申请日
2013-12-27
公开日
2020-06-26
公开号
CN107857269B
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

J·W·丘 B·邹

申请人

各星有限公司

申请人地址

中国香港九龙柯士甸道西1号环球贸易广场17楼

专利摘要

本发明涉及控制具有分配器板和核心床的多晶硅流化床反应器的轴向温度梯度的方法,所述方法包括:将具有预定粒度分布的多晶硅晶种加入流化床反应器的核心床中;测量床中颗粒的粒度分布的宽度,其中所述颗粒由新加入晶种和先前加入晶种的混合物组成,所述先前加入晶种已生长和/或尺寸收缩;调整反应器中的晶种添加频率来改变床中颗粒的粒度分布的宽度,使得当颗粒在核心床中约0.4至约1.0的标准化高度时,流化床反应器中的温度为约1000℉至约1300℉;和由可热分解化合物将硅沉积到新加入晶种和先前加入晶种上;和从所述床取出多晶硅产物。

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