目的在于提供一种适用于被包括于晶体管或二极管等中的半导体的材料。
另一个目的在于提供一种包括晶体管的半导体器件，其中介于氧化物半导体膜及与该氧化物半导体膜接触的栅极绝缘膜之间的界面处的电子态状况良好。
再者，另一个目的在于通过对将氧化物半导体膜用于沟道的晶体管提供稳定电特性，制造高可靠性的半导体器件。
半导体器件使用包括c‑轴取向的晶体的氧化物材料形成，当从表面或界面方向看时该晶体具有三角形或六角形原子排列，并绕着c‑轴旋转。

山崎舜平 中岛基 本田达也

株式会社半导体能源研究所

日本神奈川县厚木市

目的在于提供一种适用于被包括于晶体管或二极管等中的半导体的材料。
另一个目的在于提供一种包括晶体管的半导体器件，其中介于氧化物半导体膜及与该氧化物半导体膜接触的栅极绝缘膜之间的界面处的电子态状况良好。
再者，另一个目的在于通过对将氧化物半导体膜用于沟道的晶体管提供稳定电特性，制造高可靠性的半导体器件。
半导体器件使用包括c‑轴取向的晶体的氧化物材料形成，当从表面或界面方向看时该晶体具有三角形或六角形原子排列，并绕着c‑轴旋转。