本发明公开二维材料CaGeTe功能化制备高性能材料的方法，在CVD管式炉中程序控温，烧结得到CaGeTe前驱体，依次用甲苯和乙醇多次冲洗，干燥后在三口烧瓶中加入磁力搅拌子，去离子水，乙腈，CaGeTe前驱体以及碘乙醇，保证转子持续转动，密封反应得到GeTe‑OH。
分散于装有乙醇的小瓶中，以Teflon胶带密封瓶口，超声处理2h，避免浴缸和液体过热，水冷维持在20℃，离心分离即可得到二维层状半导体材料GeTe‑OH。
相比于CaGeTe，接上羟基后所得的二维材料GeTe‑OH，光学带隙有明显提升，在光电器件、光催化等方面应用具有较大的潜在性。

封伟 张鑫 赵付来 王宇 冯奕钰 李瑀

天津大学

300072 天津市南开区卫津路92号

本发明公开二维材料CaGeTe功能化制备高性能材料的方法，在CVD管式炉中程序控温，烧结得到CaGeTe前驱体，依次用甲苯和乙醇多次冲洗，干燥后在三口烧瓶中加入磁力搅拌子，去离子水，乙腈，CaGeTe前驱体以及碘乙醇，保证转子持续转动，密封反应得到GeTe‑OH。
分散于装有乙醇的小瓶中，以Teflon胶带密封瓶口，超声处理2h，避免浴缸和液体过热，水冷维持在20℃，离心分离即可得到二维层状半导体材料GeTe‑OH。
相比于CaGeTe，接上羟基后所得的二维材料GeTe‑OH，光学带隙有明显提升，在光电器件、光催化等方面应用具有较大的潜在性。