本发明公开利用经氧化处理的水处理用陶瓷分离膜及其制备方法。
本发明的目的在于，制备陶瓷分离膜，在1050℃以下的低温条件下能够进行烧结，当进行氧化工序时，所形成的二氧化硅氧化膜诱发体积膨胀，来当进行通常的烧结时，能够防止基于涂敷层的收缩的缺陷。
利用碳化硅在多孔性陶瓷支撑层上形成涂敷层后，在氧化气氛下进行烧结，来在碳化硅粒子表面形成二氧化硅氧化膜。
能够利用这种二氧化硅氧化膜的低的结合温度来制备水处理用陶瓷分离膜。
本发明的利用经氧化处理的碳化硅的水处理用陶瓷分离膜包括：多孔性陶瓷支撑层；以及碳化硅层，形成于上述多孔性陶瓷支撑层，上述碳化硅层包含碳化硅粒子及形成于上述碳化硅粒子表面的二氧化硅氧化膜。

宋仁赫 李钟万 河壮勋 赛义德·扎伊戈胡姆·阿巴斯·布哈里

韩国材料研究院

韩国庆尚南道

本发明公开利用经氧化处理的水处理用陶瓷分离膜及其制备方法。
本发明的目的在于，制备陶瓷分离膜，在1050℃以下的低温条件下能够进行烧结，当进行氧化工序时，所形成的二氧化硅氧化膜诱发体积膨胀，来当进行通常的烧结时，能够防止基于涂敷层的收缩的缺陷。
利用碳化硅在多孔性陶瓷支撑层上形成涂敷层后，在氧化气氛下进行烧结，来在碳化硅粒子表面形成二氧化硅氧化膜。
能够利用这种二氧化硅氧化膜的低的结合温度来制备水处理用陶瓷分离膜。
本发明的利用经氧化处理的碳化硅的水处理用陶瓷分离膜包括：多孔性陶瓷支撑层；以及碳化硅层，形成于上述多孔性陶瓷支撑层，上述碳化硅层包含碳化硅粒子及形成于上述碳化硅粒子表面的二氧化硅氧化膜。