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专利摘要

一种自熔体上水平带材生长的方法,包括在熔体的表面上利用辐射冷却形成带材的前侧边缘;沿着熔体的表面在第一方向上拉起带材;以及在邻近带材的前侧边缘的区域中以热移离速率来移除自熔体辐射的热,所述热大于流经熔体至带材内的热。

专利状态

基础信息

专利号
CN201280071159.1
申请日
2012-12-12
公开日
2017-03-08
公开号
CN104159855B
主分类号
/C/C03/ 化学;冶金
标准类别
玻璃;矿棉或渣棉
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

彼得·L·凯乐门 孙大为 布莱恩·H·梅克英特许

申请人

瓦里安半导体设备公司

申请人地址

美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号

专利摘要

一种自熔体上水平带材生长的方法,包括在熔体的表面上利用辐射冷却形成带材的前侧边缘;沿着熔体的表面在第一方向上拉起带材;以及在邻近带材的前侧边缘的区域中以热移离速率来移除自熔体辐射的热,所述热大于流经熔体至带材内的热。

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