本发明公开了一种控制熔石英静态酸蚀刻沉积物的方法，该方法利用短时间酸蚀刻过程六氟硅酸根的浓度扩散，酸蚀刻后把熔石英元件进行喷淋和超声清洗去除残留离子，再多次重复酸蚀刻、喷淋、超声漂洗此过程，实现一定深度的熔石英的蚀刻，不仅避免沉积物的出现，保持了面形，而且提高了激光损伤阈值，实现了熔石英抛光层和缺陷层有效完全去除，并且无沉积物产生；该方法具有操作简单、可控制、不破坏光学元件面形和粗糙度、经济等优点。

杨科 严鸿维 刘太祥 晏良宏 陈静 贾宝申 李合阳 张卓 黄贝聪 吕海兵 蒋晓东

中国工程物理研究院激光聚变研究中心

621000 四川省绵阳市科学城绵山路64号

本发明公开了一种控制熔石英静态酸蚀刻沉积物的方法，该方法利用短时间酸蚀刻过程六氟硅酸根的浓度扩散，酸蚀刻后把熔石英元件进行喷淋和超声清洗去除残留离子，再多次重复酸蚀刻、喷淋、超声漂洗此过程，实现一定深度的熔石英的蚀刻，不仅避免沉积物的出现，保持了面形，而且提高了激光损伤阈值，实现了熔石英抛光层和缺陷层有效完全去除，并且无沉积物产生；该方法具有操作简单、可控制、不破坏光学元件面形和粗糙度、经济等优点。