一种太赫兹石及其制备方法,由以下重量份的原料制得:晶体硅40‑60、稀土元素氧化物2‑5,其制备方法如下,先将晶体硅废料放入熔炼炉中进行升温熔炼,升温至1600‑1700℃后投入稀土元素氧化物,继续升温至1750‑1790℃,立即停止供电,通过原料自身的反应快速升温,升温至2400‑2800℃后,再用稳电压加热,升温至3150‑3160℃后,熔炼结束,冷却定型,制得太赫兹石。
采用本发明所述的配方及方法制得的太赫兹石,在使用过程中只需经30‑50℃的热导就能产生0.1THz‑10THz的太赫兹波。
李生春
李生春
222000 江苏省连云港市东海县牛山镇海陵东路111号中单元六楼西户
一种太赫兹石及其制备方法,由以下重量份的原料制得:晶体硅40‑60、稀土元素氧化物2‑5,其制备方法如下,先将晶体硅废料放入熔炼炉中进行升温熔炼,升温至1600‑1700℃后投入稀土元素氧化物,继续升温至1750‑1790℃,立即停止供电,通过原料自身的反应快速升温,升温至2400‑2800℃后,再用稳电压加热,升温至3150‑3160℃后,熔炼结束,冷却定型,制得太赫兹石。
采用本发明所述的配方及方法制得的太赫兹石,在使用过程中只需经30‑50℃的热导就能产生0.1THz‑10THz的太赫兹波。