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专利摘要

一种高渗透率高过滤精度莫来石晶须陶瓷过滤膜及其制备方法,包括碳化硅陶瓷支撑体层和涂覆在支撑体层表面的莫来石晶须分离膜层,所述支撑体层由包括重量百分数为80~90%碳化硅及10~20%结合剂的原料、重量为原料的20~30%的造孔剂和重量为原料的2~10%的矿化剂制备而成,所述分离膜层由包括重量百分数为30~50%硅源、50~70%铝源和添加量为铝源和硅源质量之和的0.1~1%的分散剂、60~150%的溶剂、0.1~10%的催化剂制备而成,所述结合剂为重量百分比为星子高岭土62~78%和α‑Al

专利状态

基础信息

专利号
CN202010954130.4
申请日
2020-09-11
公开日
2021-01-01
公开号
CN112156656A
主分类号
/C/C04/ 化学;冶金
标准类别
水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

徐晓虹 刘星 吴建锋

申请人

武汉理工大学

申请人地址

430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

专利摘要

一种高渗透率高过滤精度莫来石晶须陶瓷过滤膜及其制备方法,包括碳化硅陶瓷支撑体层和涂覆在支撑体层表面的莫来石晶须分离膜层,所述支撑体层由包括重量百分数为80~90%碳化硅及10~20%结合剂的原料、重量为原料的20~30%的造孔剂和重量为原料的2~10%的矿化剂制备而成,所述分离膜层由包括重量百分数为30~50%硅源、50~70%铝源和添加量为铝源和硅源质量之和的0.1~1%的分散剂、60~150%的溶剂、0.1~10%的催化剂制备而成,所述结合剂为重量百分比为星子高岭土62~78%和α‑Al

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