一种烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为5～60摩尔％，Ga含量按Ga2O3换算为8.5～90摩尔％，Si含量按SiO2换算为0～45摩尔％，在将按ZnO换算的Zn含量设为A(摩尔％)、将按Ga2O3换算的Ga含量设为B(摩尔％)、将按SiO2换算的Si含量设为C(摩尔％)时，满足A≤(B+2C)的条件，且相对密度为90％以上。
本发明的课题在于即使在通过DC溅射进行成膜时不向气氛中引入氧气，也有效地得到高透射率且低折射率的非晶膜。

奈良淳史 关秀人

捷客斯金属株式会社

日本东京

一种烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为5～60摩尔％，Ga含量按Ga2O3换算为8.5～90摩尔％，Si含量按SiO2换算为0～45摩尔％，在将按ZnO换算的Zn含量设为A(摩尔％)、将按Ga2O3换算的Ga含量设为B(摩尔％)、将按SiO2换算的Si含量设为C(摩尔％)时，满足A≤(B+2C)的条件，且相对密度为90％以上。
本发明的课题在于即使在通过DC溅射进行成膜时不向气氛中引入氧气，也有效地得到高透射率且低折射率的非晶膜。