本发明涉及一种缓解多孔氮化硅陶瓷与透明氧氮化铝陶瓷连接过程热应力的方法，采用多孔氧化铝陶瓷作为过渡层以缓解多孔氮化硅陶瓷与透明氧氮化铝陶瓷连接过程热应力，所述多孔氧化铝陶瓷的孔隙率为30～70%，优选为45～65%。

曾宇平 梁汉琴 左开慧 夏咏锋 姚冬旭 尹金伟

中国科学院上海硅酸盐研究所

200050 上海市长宁区定西路1295号

本发明涉及一种缓解多孔氮化硅陶瓷与透明氧氮化铝陶瓷连接过程热应力的方法，采用多孔氧化铝陶瓷作为过渡层以缓解多孔氮化硅陶瓷与透明氧氮化铝陶瓷连接过程热应力，所述多孔氧化铝陶瓷的孔隙率为30～70%，优选为45～65%。