本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域,更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法,包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ,所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接,连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ,生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ;可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接,连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长,而非基于连接层单独生长,因此连接层在烧结过程中未产生明显的收缩,有效解决了连接层因烧结收缩过大而开裂的问题。
叶枫 金义程 叶健 张标 刘强 高晔
哈尔滨工业大学
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域,更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法,包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ,所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接,连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ,生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ;可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接,连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长,而非基于连接层单独生长,因此连接层在烧结过程中未产生明显的收缩,有效解决了连接层因烧结收缩过大而开裂的问题。