一种超高介电常数低介电损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法 下载此专利PDF版本

CN202010078198.0 陶瓷 常数 损耗 超高

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专利摘要

本发明公开了一种超高介电常数低介电损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法，其特征在于，二氧化钛基陶瓷采用热压工艺制备，其名义化学分子式为(Lu

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN202010078198.0
申请日
2020-02-03
公开日
2021-07-27
公开号
CN111205085B
主分类号
/C/C04/ 化学；冶金
标准类别
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

胡保付 孙轲 徐坚 汪舰 刘丙国 杜保立

申请人

河南理工大学

申请人地址

454000 河南省焦作市高新区世纪大道2001号河南理工大学

专利摘要

本发明公开了一种超高介电常数低介电损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法，其特征在于，二氧化钛基陶瓷采用热压工艺制备，其名义化学分子式为(Lu

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