本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥,由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成;矩形半导体硅构成基底层;与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层,绝缘层覆盖在基底层上;反射层由浓硼(或磷)扩散掺杂的单晶硅制成,尺寸同基底层,沉积在绝缘层之上;半导体桥层由浓硼(或磷)注入掺杂的多晶硅组成,形状两端宽中间窄;半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层;然后电极层直接高温键合在焊锡层上。
本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。
陈晓勇 丑修建 熊继军 穆继亮 安坤 杨杰 李惠琴 许卓 孙玉虹 曹嘉峰
中北大学
030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号
本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥,由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成;矩形半导体硅构成基底层;与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层,绝缘层覆盖在基底层上;反射层由浓硼(或磷)扩散掺杂的单晶硅制成,尺寸同基底层,沉积在绝缘层之上;半导体桥层由浓硼(或磷)注入掺杂的多晶硅组成,形状两端宽中间窄;半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层;然后电极层直接高温键合在焊锡层上。
本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。