本发明涉及一种二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶的制备方法，以三氨基胍硝酸盐(TAGN)与二甲基亚砜(DMSO)混合，再加入HMX和ANPyO待其完全溶解，加入乙二醛，得到二维共轭结构材料；HMX/ANPyO在此二维共轭结构上进行生长，得到限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶体。
本发明的方法更加简单，最终的材料结构和性能可以通过反应条件和掺杂量进行精确控制，产品的产率高，所用原材料的成本较低，很容易实现工业化生产。
其次，在二维材料限域掺杂条件下，提升其晶体刚度和分子有序的堆积密度，进而提升其爆轰性能。
最后，在二维材料限域掺杂条件下，HMX和ANPyO可以任意比例形成共晶体，其实验条件易于控制。

严启龙 薛智华 张雪雪 黄彬彬 何伟

西北工业大学

710072 陕西省西安市友谊西路127号

本发明涉及一种二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶的制备方法，以三氨基胍硝酸盐(TAGN)与二甲基亚砜(DMSO)混合，再加入HMX和ANPyO待其完全溶解，加入乙二醛，得到二维共轭结构材料；HMX/ANPyO在此二维共轭结构上进行生长，得到限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶体。
本发明的方法更加简单，最终的材料结构和性能可以通过反应条件和掺杂量进行精确控制，产品的产率高，所用原材料的成本较低，很容易实现工业化生产。
其次，在二维材料限域掺杂条件下，提升其晶体刚度和分子有序的堆积密度，进而提升其爆轰性能。
最后，在二维材料限域掺杂条件下，HMX和ANPyO可以任意比例形成共晶体，其实验条件易于控制。