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专利摘要

本发明涉及一种芯片封装专用低介电高导热底部填充胶,芯片封装专用低介电高导热底部填充胶,其特征在于包括低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂。
其以该树脂降低基体树脂的介电常数,同时通过增加高导热的填料实现高导热性能,具有低介电、高导热、低CTE、高Tg和高模量的特性,适合在5G移动通讯芯片中作为底部填充胶使用。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010231889.X
申请日
2020-03-27
公开日
2021-07-27
公开号
CN111440575B
主分类号
/C/C07/ 化学;冶金
标准类别
有机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

彭琦 刘锋 陈燕舞 吴嘉培 高仕旭

申请人

顺德职业技术学院

申请人地址

528300 广东省佛山市顺德区大良德胜东路

专利摘要

本发明涉及一种芯片封装专用低介电高导热底部填充胶,芯片封装专用低介电高导热底部填充胶,其特征在于包括低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂。
其以该树脂降低基体树脂的介电常数,同时通过增加高导热的填料实现高导热性能,具有低介电、高导热、低CTE、高Tg和高模量的特性,适合在5G移动通讯芯片中作为底部填充胶使用。

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