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专利摘要

本发明为含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法及其组合物。
目的在于提供能够由包含四氢呋喃和含不饱和键的硅烷化合物的混合物获得高纯度的含不饱和键的硅烷化合物的精制方法。
使用含不饱和键的硅烷化合物的精制方法,其特征在于,对下述通式(1)所示的至少1种含不饱和键的硅烷化合物与四氢呋喃与沸点高于前述含不饱和键的硅烷化合物和四氢呋喃的高沸点溶剂的混合物进行蒸馏。
Si(R

专利状态

基础信息

专利号
CN201710892548.5
申请日
2017-09-27
公开日
2018-04-03
公开号
CN107868098A
主分类号
/C/C07/ 化学;冶金
标准类别
有机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

矶野芳美 近藤良介 三浦雅大 森高 高桥干弘

申请人

中央硝子株式会社

申请人地址

日本山口县

专利摘要

本发明为含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法及其组合物。
目的在于提供能够由包含四氢呋喃和含不饱和键的硅烷化合物的混合物获得高纯度的含不饱和键的硅烷化合物的精制方法。
使用含不饱和键的硅烷化合物的精制方法,其特征在于,对下述通式(1)所示的至少1种含不饱和键的硅烷化合物与四氢呋喃与沸点高于前述含不饱和键的硅烷化合物和四氢呋喃的高沸点溶剂的混合物进行蒸馏。
Si(R

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