本发明公开用于制造光学反射器和有机存储器的溶液可处理材料，该材料具有包括硼(III)部分作为电子受体单元的给体‑受体系统。
更具体地讲，本文描述利用具有由以下通式(I)表示的化学结构的包含硼(III)的给体‑受体化合物作为活性材料制造光学反射器和有机存储器，其中B为硼原子；各硼原子可任选结合X1、X2、X3和X4中的一个或两个和Y1、Y2、Y3和Y4中的两个；X1、X2、X3和X4独立为杂原子或碳原子，其中杂原子或基团可以为F、Cl、Br、I或OR，R为特定杂原子或碳原子上可选自烷基或芳族基团的取代基；Y1、Y2、Y3和Y4独立为杂原子，其中杂原子或基团可以为O、S、Se、Ge、Te、PR或NR，R为特定杂原子或碳原子上可选自烷基或芳族基团的取代基；Z1、Z2、Z3和Z4为环状结构衍生物；D1、D2和D3任选为烷基取代的芳族基团；并且n和m可任选为任何整数。

任咏华 潘俊廷 吴翟

香港大学

中国香港薄扶林道

本发明公开用于制造光学反射器和有机存储器的溶液可处理材料，该材料具有包括硼(III)部分作为电子受体单元的给体‑受体系统。
更具体地讲，本文描述利用具有由以下通式(I)表示的化学结构的包含硼(III)的给体‑受体化合物作为活性材料制造光学反射器和有机存储器，其中B为硼原子；各硼原子可任选结合X1、X2、X3和X4中的一个或两个和Y1、Y2、Y3和Y4中的两个；X1、X2、X3和X4独立为杂原子或碳原子，其中杂原子或基团可以为F、Cl、Br、I或OR，R为特定杂原子或碳原子上可选自烷基或芳族基团的取代基；Y1、Y2、Y3和Y4独立为杂原子，其中杂原子或基团可以为O、S、Se、Ge、Te、PR或NR，R为特定杂原子或碳原子上可选自烷基或芳族基团的取代基；Z1、Z2、Z3和Z4为环状结构衍生物；D1、D2和D3任选为烷基取代的芳族基团；并且n和m可任选为任何整数。