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专利摘要

本发明属于电磁微波屏蔽材料技术,公开了一种C@Ni复合材料的制备方法及电磁屏蔽薄膜。
所述C@Ni复合材料的制备方法包括以下步骤:将氨水和乙醇水溶液混合,加入甲醛溶液和间苯二酚,搅拌,静置水热反应后,取出沉淀物,清洗干燥获得的单分散间苯二酚‑甲醛树脂球煅烧后获得前驱体C球,配置成水溶液,添加水溶性镍盐、还原剂,静置水热反应结束后取出沉淀物,清洗干燥,获得C@Ni复合材料。
所述电磁屏蔽薄膜是将获得的C@Ni复合材料与高分子聚合物聚偏氟乙烯物理结合所得。
本发明制得的C@Ni电磁屏蔽薄膜可通过磁滞损耗,介电损耗,电阻损耗等机理将电磁能流转变为热能,势能等其他形式的能量,达到屏蔽吸收电磁波的效果。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910899022.9
申请日
2019-09-23
公开日
2019-11-26
公开号
CN110498990A
主分类号
/C/C08/ 化学;冶金
标准类别
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

徐曦 周圆圆

申请人

徐曦

申请人地址

239300 安徽省滁州市天长市秦栏镇官桥社区潘庄队27号

专利摘要

本发明属于电磁微波屏蔽材料技术,公开了一种C@Ni复合材料的制备方法及电磁屏蔽薄膜。
所述C@Ni复合材料的制备方法包括以下步骤:将氨水和乙醇水溶液混合,加入甲醛溶液和间苯二酚,搅拌,静置水热反应后,取出沉淀物,清洗干燥获得的单分散间苯二酚‑甲醛树脂球煅烧后获得前驱体C球,配置成水溶液,添加水溶性镍盐、还原剂,静置水热反应结束后取出沉淀物,清洗干燥,获得C@Ni复合材料。
所述电磁屏蔽薄膜是将获得的C@Ni复合材料与高分子聚合物聚偏氟乙烯物理结合所得。
本发明制得的C@Ni电磁屏蔽薄膜可通过磁滞损耗,介电损耗,电阻损耗等机理将电磁能流转变为热能,势能等其他形式的能量,达到屏蔽吸收电磁波的效果。

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