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专利摘要

本发明公开了一种C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法,是采用真空电弧离子源,在氟硅橡胶表面依次注入C、Al,获得机械强度改善的低摩擦氟硅橡胶,氟硅橡胶的摩擦系数从0.8降低到0.25左右。
本发明由于氟硅橡胶C元素的掺入能够有效提高了FVMQ机械强度、耐油性和溶胀性;Al元素的掺入能够降低FVMQ的摩擦系数,获得低摩擦补强FVMQ,对工业应用来说,本发明具有重要意义。
另外,本发明采用Mevva‑5.Ru真空电弧离子源在FVMQ表面进行了双元素(C和Al)的序列注入,其操作简单,可控性强。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011362699.8
申请日
2020-11-27
公开日
2021-07-23
公开号
CN112376033B
主分类号
/C/C08/ 化学;冶金
标准类别
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

张斌 贾倩 张俊彦 杨生荣 王宏刚

申请人

中国科学院兰州化学物理研究所

申请人地址

730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号

专利摘要

本发明公开了一种C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法,是采用真空电弧离子源,在氟硅橡胶表面依次注入C、Al,获得机械强度改善的低摩擦氟硅橡胶,氟硅橡胶的摩擦系数从0.8降低到0.25左右。
本发明由于氟硅橡胶C元素的掺入能够有效提高了FVMQ机械强度、耐油性和溶胀性;Al元素的掺入能够降低FVMQ的摩擦系数,获得低摩擦补强FVMQ,对工业应用来说,本发明具有重要意义。
另外,本发明采用Mevva‑5.Ru真空电弧离子源在FVMQ表面进行了双元素(C和Al)的序列注入,其操作简单,可控性强。

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