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专利摘要

本发明公开了一种激光织构圆形凹坑阵列金属离子注入改性聚酰亚胺表面的方法,是先利用激光加工系统,将聚酰亚胺表面采用“单脉冲同点间隔多次”工艺进行圆形凹坑阵列织构化处理,再采用Mevva‑5.Ru真空电弧离子源,在经织构化处理的聚酰亚胺表面注入Al金属离子,获得改性聚酰亚胺。
改性聚酰亚胺的摩擦系数从0.80降低至0.20左右,具有低摩擦性能,可用于航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域,也可以作为桥梁、建筑滑板表面处理的新技术,提高其耐磨和润滑性能。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011356146.1
申请日
2020-11-27
公开日
2021-07-23
公开号
CN112376030B
主分类号
/C/C08/ 化学;冶金
标准类别
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

张俊彦 贾倩 张斌 王宏刚 高凯雄

申请人

中国科学院兰州化学物理研究所

申请人地址

730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号

专利摘要

本发明公开了一种激光织构圆形凹坑阵列金属离子注入改性聚酰亚胺表面的方法,是先利用激光加工系统,将聚酰亚胺表面采用“单脉冲同点间隔多次”工艺进行圆形凹坑阵列织构化处理,再采用Mevva‑5.Ru真空电弧离子源,在经织构化处理的聚酰亚胺表面注入Al金属离子,获得改性聚酰亚胺。
改性聚酰亚胺的摩擦系数从0.80降低至0.20左右,具有低摩擦性能,可用于航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域,也可以作为桥梁、建筑滑板表面处理的新技术,提高其耐磨和润滑性能。

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