本发明属于纳米杂化分子合成技术领域，公开了一种苯基T10笼型倍半硅氧烷及其采用T4为模板的模板生长法的合成方法。
本发明方法包括以下步骤：(1)苯基T4钠盐的制备：将苯基硅烷单体的有机溶液、含有氢氧化钠和水的有机溶液混合，旋蒸除去溶剂，得到苯基T4钠盐；(2)苯基T10笼型倍半硅氧烷的合成：将1摩尔份苯基T4钠盐、2～8摩尔份苯基硅烷单体溶于溶剂中，加入催化量的催化剂，反应，得到苯基T10笼型倍半硅氧烷。
本发明反应过程简单，合成所得的T10，作为添加剂使用在保留T8高热稳定性、高力学强度、低介电损耗的前提下，在常用溶剂中有优良溶解性。
本发明的成功实施，对以后合成双官能CSQ有重要启示。

许凯 桂雪峰 梁晟源 邢玉秀 高树曦 孙龙凤 陈鸣才

中科院广州化学有限公司 中国科学院大学

510650 广东省广州市天河区兴科路368号

本发明属于纳米杂化分子合成技术领域，公开了一种苯基T10笼型倍半硅氧烷及其采用T4为模板的模板生长法的合成方法。
本发明方法包括以下步骤：(1)苯基T4钠盐的制备：将苯基硅烷单体的有机溶液、含有氢氧化钠和水的有机溶液混合，旋蒸除去溶剂，得到苯基T4钠盐；(2)苯基T10笼型倍半硅氧烷的合成：将1摩尔份苯基T4钠盐、2～8摩尔份苯基硅烷单体溶于溶剂中，加入催化量的催化剂，反应，得到苯基T10笼型倍半硅氧烷。
本发明反应过程简单，合成所得的T10，作为添加剂使用在保留T8高热稳定性、高力学强度、低介电损耗的前提下，在常用溶剂中有优良溶解性。
本发明的成功实施，对以后合成双官能CSQ有重要启示。