本发明涉及化学机械抛光(CMP)组合物(Q)在化学机械抛光包含(i)钴和/或(ii)钴合金的基材(S)中的用途，其中该CMP组合物(Q)包含：(A)无机颗粒，(B)聚(氨基酸)和/或其盐，(C)至少一种氨基酸，(D)至少一种氧化剂，(E)含水介质，其中该CMP组合物(Q)的pH为7至10。

M·劳特尔 H·O·格文茨 M·西伯特 兰永清 S·A·奥斯曼易卜拉欣 R·M·戈扎里安 魏得育

巴斯夫欧洲公司

德国莱茵河畔路德维希港

本发明涉及化学机械抛光(CMP)组合物(Q)在化学机械抛光包含(i)钴和/或(ii)钴合金的基材(S)中的用途，其中该CMP组合物(Q)包含：(A)无机颗粒，(B)聚(氨基酸)和/或其盐，(C)至少一种氨基酸，(D)至少一种氧化剂，(E)含水介质，其中该CMP组合物(Q)的pH为7至10。