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专利摘要

本发明提供了一种无水抛光KDP晶体的方法,实现了KDP晶体材料的高精高效抛光。
无水抛光过程分为粗抛光和细抛光,无水抛光液成分包括油酸甲酯、碳化硅/氧化铝混合磨粒和无水碳酸钠,分为无水粗抛光液和无水细抛光液,无水粗抛光液和无水细抛光液之间的区别体现在油酸甲酯粘度、碳化硅/氧化铝混合磨粒的配比、粒径及浓度、无水碳酸钠粒径及浓度。
与其他KDP晶体抛光方法相比,无水抛光KDP晶体的方法所用的抛光液化学试剂无毒低害,绿色环保,抛光过程中有效地避免了KDP晶体接触水发生潮解使晶体破坏的现象产生,并有效提高了KDP晶体表面的加工质量。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010992961.0
申请日
2020-09-21
公开日
2020-12-29
公开号
CN112139859A
主分类号
/C/C09/ 化学;冶金
标准类别
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张振宇 崔祥祥 刘杰 廖龙兴 李玉彪

申请人

大连理工大学

申请人地址

116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

专利摘要

本发明提供了一种无水抛光KDP晶体的方法,实现了KDP晶体材料的高精高效抛光。
无水抛光过程分为粗抛光和细抛光,无水抛光液成分包括油酸甲酯、碳化硅/氧化铝混合磨粒和无水碳酸钠,分为无水粗抛光液和无水细抛光液,无水粗抛光液和无水细抛光液之间的区别体现在油酸甲酯粘度、碳化硅/氧化铝混合磨粒的配比、粒径及浓度、无水碳酸钠粒径及浓度。
与其他KDP晶体抛光方法相比,无水抛光KDP晶体的方法所用的抛光液化学试剂无毒低害,绿色环保,抛光过程中有效地避免了KDP晶体接触水发生潮解使晶体破坏的现象产生,并有效提高了KDP晶体表面的加工质量。

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