一种抛光液用基液及其制备方法 下载此专利PDF版本

CN201810049655.6

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专利摘要

本发明涉及一种抛光液用基液及其制备方法，属于精密加工领域。
一种抛光液用基液的制备方法，包括下述工艺步骤：将SiO

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN201810049655.6
申请日
2018-01-18
公开日
2020-07-31
公开号
CN108084888B
主分类号
/C/C09/ 化学；冶金
标准类别
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

蒋秋菊

申请人

合肥京东方半导体有限公司

申请人地址

230000 安徽省合肥市新站区工业园内

专利摘要

本发明涉及一种抛光液用基液及其制备方法，属于精密加工领域。
一种抛光液用基液的制备方法，包括下述工艺步骤：将SiO

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