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专利摘要

一种量子点粉末及其制备方法、发光器件、量子点组合物、量子点膜及其制备方法,属于量子点领域。
发明示例中的量子点粉末的制备方法包括:S1,将量子点分散于第一胶水组合物中,得到量子点胶水分散液,将所述量子点胶水分散液固化,得到量子点复合材料;S2,将所述量子点复合材料粉碎,得到第一量子点粉末;S3,以给定光强的蓝光照射所述第一量子点粉末给定时间,制得第二量子点粉末。
采用前述方法制备的第二量子点粉末可以使受损的量子点得到一定程度上的修复,从而使其发光效率得以部分或全部地恢复至受损前的状态。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811034514.3
申请日
2018-09-05
公开日
2021-07-20
公开号
CN109233804B
主分类号
/C/C09/ 化学;冶金
标准类别
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

方龙 吕梦冰 康永印 赵飞

申请人

纳晶科技股份有限公司

申请人地址

310000 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼

专利摘要

一种量子点粉末及其制备方法、发光器件、量子点组合物、量子点膜及其制备方法,属于量子点领域。
发明示例中的量子点粉末的制备方法包括:S1,将量子点分散于第一胶水组合物中,得到量子点胶水分散液,将所述量子点胶水分散液固化,得到量子点复合材料;S2,将所述量子点复合材料粉碎,得到第一量子点粉末;S3,以给定光强的蓝光照射所述第一量子点粉末给定时间,制得第二量子点粉末。
采用前述方法制备的第二量子点粉末可以使受损的量子点得到一定程度上的修复,从而使其发光效率得以部分或全部地恢复至受损前的状态。

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