本发明涉及半导体化学机械抛光技术领域，具体公开一种结构致密的硅溶胶及其制备方法。
所述制备方法，包括如下步骤：将烷氧基硅烷滴加到含有碱催化剂、水及有机溶剂的混合液中，得到第一硅溶胶；用纯水稀释，加热至沸腾，回流反应，溶剂置换得到第二硅溶胶；滴加烷氧基硅烷，得到第三硅溶胶；保温反应，浓缩，溶剂置换得到硅溶胶。
本发明提供的结构致密的硅溶胶的制备方法，生产效率高，所得的硅溶胶二氧化硅一次固含为10％以上，金属离子含量<1ppm，且二氧化硅颗粒真密度ρ>2.0g/cm

朱斌 仵靖

石家庄优士科电子科技有限公司

050000 河北省石家庄市高新区湘江道319号孵化器C座01-1908号

本发明涉及半导体化学机械抛光技术领域，具体公开一种结构致密的硅溶胶及其制备方法。
所述制备方法，包括如下步骤：将烷氧基硅烷滴加到含有碱催化剂、水及有机溶剂的混合液中，得到第一硅溶胶；用纯水稀释，加热至沸腾，回流反应，溶剂置换得到第二硅溶胶；滴加烷氧基硅烷，得到第三硅溶胶；保温反应，浓缩，溶剂置换得到硅溶胶。
本发明提供的结构致密的硅溶胶的制备方法，生产效率高，所得的硅溶胶二氧化硅一次固含为10％以上，金属离子含量<1ppm，且二氧化硅颗粒真密度ρ>2.0g/cm