本文描述了一种适于从微电子器件同时去除硅和硅‑锗的蚀刻溶液，其包含：水；氧化剂；包含胺化合物(或铵化合物)和多官能有机酸的缓冲组合物；水混溶性溶剂；和氟离子源。

葛智逵 李翊嘉 刘文达 郭致贤 A·J·亚当齐克

弗萨姆材料美国有限责任公司

美国亚利桑那州

本文描述了一种适于从微电子器件同时去除硅和硅‑锗的蚀刻溶液，其包含：水；氧化剂；包含胺化合物(或铵化合物)和多官能有机酸的缓冲组合物；水混溶性溶剂；和氟离子源。