本发明公开了一种铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法,所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr1‑x‑yAl2Si2O8:xEu2+,yNd3+,其中,0.001≤x≤0.2,0.001≤y≤0.2。
本发明所述的制备方法为高温固相法,原料简单易得,价格低廉,适用于批量大规模生产,本发明所述的铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料与以往材料相比,性能极大提升,除了具备光存储材料之外,荧光粉的高亮度还可作为长余辉照明,以及白光LED的蓝色发光源,适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。
刘盛意 张金苏 陈宝玖 李香萍 孙佳石 徐赛 程丽红
大连海事大学
116000 辽宁省大连市甘井子区凌海路1号
本发明公开了一种铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法,所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr1‑x‑yAl2Si2O8:xEu2+,yNd3+,其中,0.001≤x≤0.2,0.001≤y≤0.2。
本发明所述的制备方法为高温固相法,原料简单易得,价格低廉,适用于批量大规模生产,本发明所述的铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料与以往材料相比,性能极大提升,除了具备光存储材料之外,荧光粉的高亮度还可作为长余辉照明,以及白光LED的蓝色发光源,适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。